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ICS 31. 080. 01 L 40 中华人民共和国国家标准 GB/T 20516——2006/IEC 60747-4:2001 半导体器件分立器件第4部分：微波器件 Semiconductor devicesDiscrete devices- Part 4 : Microwave devices (IEC 60747-4:2001,IDT) 2006-10-10发布 2007-02-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布中国国家标准化管理委员会 GB/T 20516--2006/IEC 60747-4:2001 目次前言第I篇总则 1 引言 2 范围 3 文字符号第Ⅱ篇变容二极管、阶跃二极管和快速开关肖特基二极管第1节变容二极管 1 概述 2 术语和文字符号 2 3 基本额定值和特性 4 测试方法 .......... 第2节阶跃二极管和肖特基二极管 1 概述· .... 21 2术语和文字符号… 21 3基本额定值和特性.· 22 4测试方法· 第Ⅲ篇混频二极管和检波二极管第1节雷达用混频二极管 1 概述·· 2 术语和文字符号 3 基本额定值和特性. 测试方法 30 第2节通信用混频二极管概述··· 42 1 2术语和文字符号 42 3 基本额定值和特性测试方法 43 第3节检波二极管 (在考虑中) 1

GB-T 20516-2006 半导体器件分立器件第4部分：微波器件

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GB-T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

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