ICS77.150.99 CCSH66 中华人民共和国国家标准 GB/T10118—2023 代替GB/T10118—2009 高 纯 镓 Highpuritygallium 2023-12-28发布 2024-07-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会发布前 言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 本文件代替GB/T10118—2009《高纯镓》,与GB/T10118—2009相比,除结构调整和编辑性改动 外,主要技术变化如下: a) 更改了标准的适用范围(见第1章,2009年版的第1章); b) 更改了牌号表示(见第4章,2009年版的3.1); c) 更改了化学成分要求(见5.1,2009年版的3.2); d) 更改了外观质量的要求(见5.2,2009年版的3.3); e) 更改了化学成分的检验方法(见6.1和6.2,2009年版的4.1); f) 更改了检验规则(见第7章,2009年版的第5章); g) 更改了标志的内容(见8.1,2009年版的6.1); h) 更改了运输的内容(见8.3,2009年版的6.3); i) 更改了随行文件的内容(见8.5,2009年版的6.5); j) 删除了附录A(见2009年版的附录A)。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本文件起草单位:有研国晶辉新材料有限公司、朝阳金美镓业有限公司、广东先导微电子科技有限 公司、成都中建材光电材料有限公司、东方电气(乐山)峨半高纯材料有限公司、有色金属技术经济研究 院有限责任公司、武汉拓材科技有限公司、楚雄川至电子材料有限公司、株洲科能新材料股份有限公司、 云南锡业新材料有限公司。 本文件主要起草人:路淑娟、曹波、于洪国、邢志国、莫杰、李素青、尚鹏、汪洋、吴广杰、林世源、 李佳宣、张磊、钟连兵、朱君、卢鹏荐、曾小龙、曹昌威、金智宏、赵科湘、伍美珍、刘晓华。 本文件于1988年首次发布,2009年第一次修订,本次为第二次修订。 ⅠGB/T10118—2023 高 纯 镓 1 范围 本文件规定了高纯镓的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单 内容。 本文件适用于纯度不小于99.9999%的高纯镓的生产、检测及质量评价。 注:高纯镓主要用于制备化合物半导体、高纯合金以及半导体材料的掺杂等。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文 件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于 本文件。 GB/T8170 数值修约规则与极限数值的表示和判定 GB12463 危险货物运输包装通用技术条件 GB/T15258 化学品安全标签编写规定 GB/T16483 化学品安全技术说明书 内容和项目顺序 YS/T38.3 高纯镓化学分析方法 第3部分:痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法 YS/T474 高纯镓化学分析方法 痕量元素的测定 电感耦合等离子体质谱法 3 术语和定义 本文件没有需要界定的术语和定义。 4 牌号 高纯镓按照化学成分分为Ga6N、Ga7N、Ga8N3个牌号。 5 技术要求 5.1 化学成分 5.1.1 Ga6N、Ga7N高纯镓的化学成分应符合表1的规定。 表1 Ga6N、Ga7N高纯镓的化学成分 牌号 Ga6N Ga7N Ga(质量分数) ≥99.9999% ≥99.99999% 杂质含量a ng/gNa ≤30 ≤5 Mg ≤20 ≤5 1GB/T10118—2023 表1 Ga6N、Ga7N高纯镓的化学成分(续) 牌号 Ga6N Ga7N 杂质含量a ng/gAl ≤20 ≤5 Si ≤20 ≤5 S ≤20 ≤5 K ≤20 ≤5 Ca ≤30 ≤5 Cr ≤20 ≤5 Mn ≤20 ≤3 Fe ≤20 ≤5 Co ≤20 ≤5 Ni ≤20 ≤5 Cu ≤15 ≤2 Zn ≤20 ≤3 As ≤20 ≤5 In ≤30 ≤5 Sn ≤20 ≤5 Hg ≤20 ≤5 Pb ≤20 ≤5 总含量 ≤1000 ≤100 注1:镓含量为100%减去杂质含量总和的差值,杂质含量总和包括但不限于表中所列杂质元素实测值之和。 注2:表中未列的其他杂质元素,由供需双方协商确定。 a表中杂质含量数值修约按GB/T8170的有关规定进行。 5.1.2 Ga8N高纯镓的化学成分应符合表2的规定。 表2 Ga8N高纯镓的化学成分 牌号 Ga8N 牌号 Ga8N Ga(质量分数) ≥99.999999% Ga(质量分数) ≥99.999999% 杂质含量 ng/gLi <1 Be <1 B <1 F <10 Na <1 Mg <1 Al <1 Si <1 P <1 S <1杂质含量 ng/gAg <50 Cd <40 In <5 Sn <5 Sb <5 Te <5 I <1 Cs <1 Ba <1 La <1 2GB/T10118—2023 表2 Ga8N高纯镓的化学成分(续) 牌号 Ga8N 牌号 Ga8N 杂质含量 ng/gCl <1 K <5 Ca <3 Sc <1 Ti <1 V <1 Cr <1 Mn <1 Fe <1 Co <1 Ni <1 Cu <1 Zn <3 Ge <10 As <5 Se <5 Br <5 Rb <1 Sr <10 Y <50 Zr <1 Nb <5 Mo <5 Ru <1 Rh <50 Pd <50杂质含量 ng/gCe <10 Pr <1 Nd <1 Sm <1 Eu <1 Gd <1 Tb <1 Dy <1 Ho <1 Er <1 Tm <1 Yb <1 Lu <1 Hf <1 W <5 Re <1 Os <1 Ir <1 Pt <10 Au <10 Hg <5 Tl <1 Pb <1 Bi <5 Th <1 U <1 5.2 外观质量 高纯镓通常以固态出厂,固态产品呈蓝白色,液态产品呈银白色,表面具有金属光泽,无氧化色斑及 夹杂物。 5.3 其他 需方如对高纯镓有其他要求,由供需双方协商确定并在订货单中注明。 3GB/T10118—2023 6 试验方法 6.1 Ga6N高纯镓化学成分的测试按YS/T38.3或YS/T474的规定进行,如需仲裁按YS/T38.3的 规定进行。 6.2 Ga7N、Ga8N高纯镓化学成分的测试按YS/T38.3的规定进行。 6.3 高纯镓的外观质量在良好的照明下目视检查。 7 检验规则 7.1 检查和验收 7.1.1 产品应由供方或第三方进行检验,保证产品质量符合本文件及订货单的规定。 7.1.2 需方可对收到的产品按照本文件的规定进行检验。如检验结果与本文件或订货单的规定不 符,应以书面形式向供方提出,由供需双方协商解决。属于外观质量的异议,应在收到产品之日起1个 月内提出,属于化学成分的异议,应在收到产品之日起3个月内提出。如需仲裁,仲裁取样由供需双方 共同进行。 7.2 组批 产品应成批提交验收,每批应由同一牌号、同一生产工艺、同一生产周期的产品组成。连续生产的 产品,每批重量不大于1000kg,间断生产的产品,每批重量不大于100kg。 7.3 检验项目 每批产品应对化学成分、外观质量进行检验。 7.4 取样及制样 7.4.1 化学成分检验时,从每批产品中任取不少于1%且不少于5个最小包装单元,分别将产品融化 后,剥开表层用非极性塑料管取等量试样,每个包装单元取5g~10g,混合均匀后进行测试。 7.4.2 外观质量检验逐个最小包装单元进行。 7.5 检验结果的判定 7.5.1 化学成分的检验结果不合格时,判该批产品不合格。 7.5.2 外观质量的检验结果不合格时,判该包装单元产品不合格,也可由供需双方协商解决。 8 标志、包装、运输、贮存和随行文件 8.1 标志 8.1.1 产品外包装应逐个张贴标签,其上注明: a) 供方名称; b) 产品名称; c) 本文件编号; d) 牌号; e) 批号; 4GB/T10118—2023